Tранзистор IGW30N100TFKSA1 отличается высоким уровнем производительности, благодаря чему он находит применение в различных областях, включая источники питания, преобразователи энергии, системы управления двигателями и другие технологии, требующие надежного переключения на высоких частотах. Его конструкция обеспечивает минимальные потери энергии при работе, что критически важно для современных разработок, стремящихся к улучшению общей эффективности системы.
Одной из выдающихся характеристик транзистора является его высокая предельная напряжение – до 1000 В, что позволяет ему работать в жестких условиях и использоваться в приложениях с высоким напряжением. Также IGW30N100TFKSA1 может поддерживать значительные значения тока, что делает его подходящим для мощных систем, где требуется высокая нагрузочная способность.
Преимущества транзистора IGW30N100TFKSA1
Транзистор IGW30N100TFKSA1 представляет собой IGBT с рабочим напряжением до 1000 В и максимальным током 60 А. Характеристики транзистора включают низкое напряжение коллектор-эмиттер при 30 А, равное 1.9 В, что делает этот компонент эффективным в приложениях, требующих высокой надежности. Транзистор также способен обрабатывать мощность до 412 Вт, что позволяет использовать его в различных схемах. Рабочая температура составляет от -55°C до 175°C, что дает возможность применения в широком диапазоне условий.
Характеристики и спецификации
В наличии у RX Electronics имеется 1686 штук транзистора IGW30N100TFKSA1, что позволяет быстро удовлетворить потребности клиентов. Спецификации транзистора включают время переключения 33 нс при включении и 535 нс при выключении. Транзистор представлен в корпусе TO-247-3, что обеспечивает удобство установки и надежное соединение.
заключение
В заключение, RX Electronics предлагает транзисторы с отличными характеристиками, такими как IGW30N100TFKSA1, что делает их идеальными для использования в современных электронных устройствах. Выбирая RX Electronics, клиенты получают доступ к высококачественным продуктам и профессиональному обслуживанию, что делает их выбором номер один в области электронных компонентов.
